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采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似，计算了金红石型SnO2和Sn0.875Ru0.125O2的能带结构和电子态密度，详细分析了掺杂前后体系的品格常数和带隙附近的电子结构。结果表明：Ru加入SnO2后，体系的晶格常数和体积均减小；同时，掺杂Ru后费米能级进入导带，导电类型发生改变；掺杂后使电子有效质量降低了40％，而载流子浓度增大约500倍，极大地提高了材料的导电性能。本文的计算结果为钛基Sn1-RuxO2氧化物电极的开发与应用提供了理论依据。