【摘 要】
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本文用本征多晶硅并采用100％镓合金和硼镓共掺合金制备了P单晶掺Ga硅片,并制备了太阳电池,且与常规掺硼硅片与电池进行了对比研究.研究结果表明:100％掺Ga的硅片位错密度高于掺
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本文用本征多晶硅并采用100％镓合金和硼镓共掺合金制备了P<100>单晶掺Ga硅片,并制备了太阳电池,且与常规掺硼硅片与电池进行了对比研究.研究结果表明:100％掺Ga的硅片位错密度高于掺硼硅片,20％掺Ga与掺硼硅片的位错密度相当;电阻率相同的掺硼硅片和掺Ga硅片的少子寿命相同;但扩散后100％掺Ga硅片少子寿命略低于掺硼硅片、20％掺Ga硅片扩散后少子寿命与掺硼硅片相同;采用同种电池工艺制备了掺硼、20％掺Ga、100％掺Ga硅片的电池,其中100％掺Ga硅片制备的电池转换效率略低于常规掺硼电池、20％掺Ga硅片制备的电池可以达到掺硼电池同样的光电转换效率;100％掺Ga硅片制备的电池光衰为O;20％掺Ga单晶硅太阳电池光衰≤0.15％;而掺硼电池的光衰达到2.57％.光衰后的掺硼电池经过200℃快速热退火后可恢复到光衰前的参数,但二次衰减后还是有2％以上的光衰.
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