【摘 要】
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本文在一类传统的有机电子传输材料--苝酰亚胺分子的不同位置上引入不同数目和不同种类的吸电子基团（F, Cl, CF3 ），合成了一系列苝酰亚胺衍生物，并以真空蒸镀苝酰亚胺薄膜为载流
【机 构】
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浙江大学高分子科学与工程学系，硅材料国家重点实验室，杭州,310027
【出 处】
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2005年全国高分子学术论文报告会
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本文在一类传统的有机电子传输材料--苝酰亚胺分子的不同位置上引入不同数目和不同种类的吸电子基团（F, Cl, CF3 ），合成了一系列苝酰亚胺衍生物，并以真空蒸镀苝酰亚胺薄膜为载流子传输层，制备薄膜晶体管（TFT ）。测试表明，TFT 的性能取决于苝酰亚胺分子上取代基的种类与数目：取代基越多，取代基的吸电子能力越强，电子迁移率越高。其中，N,N-二（五氟代苯基）-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺的迁移率高达0.068 cm 2 /(Vs)，开关电流比大于10 5 ，阈值电压可低至0.4 V 。AFM 照片发现，取代基通过改变薄膜中分子的堆积方式来影响器件的性能。本文还进一步研究了氟代作用与TFT 空气稳定性之间的关系，结果显示：在苝酰亚胺分子上引入更多的氟原子，可使LUMO 变得更低，TFT 的空气稳定性更好。另外，本文也探讨了器件制备的工艺条件，对TFT 性能的影响。
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