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高X值CdznTe PVT生长研究
高X值CdznTe PVT生长研究
来源 :全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mmmmmmmmmmmmmmmmmmmm
【摘 要】
:
该文尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高X值(X=0.04~0.60)Cd1、Zn Te晶体在压力控制下的物理气相输运(PVT)生长研究。探讨了CD源温度对晶体电学性质的影响。并对PVT晶
【作 者】
:
钱永彪
桑文斌
【机 构】
:
大学嘉定位区无机料系(上海)
【出 处】
:
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
布里奇曼法生长
晶体
检测和分析
红外透过率
组成分布
压力控制
气相输运
电学性质
原材料
位错坑
物理
温度
密度
纯度
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该文尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高X值(X=0.04~0.60)Cd1、Zn Te晶体在压力控制下的物理气相输运(PVT)生长研究。探讨了CD源温度对晶体电学性质的影响。并对PVT晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、PL光谐等进行了检测和分析。
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