【摘 要】
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通过直流电沉积技术在LiF-NaF-KF熔盐体系中,以K2TiF6和KBF4作为活性物质在石墨基体上制备了晶粒细小、裂纹少、孔隙率低、表面平整和基体结合良好的TiB2镀层.研究表明,当电
【机 构】
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上海工程技术大学,材料工程学院,上海,201600
【出 处】
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第六届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
通过直流电沉积技术在LiF-NaF-KF熔盐体系中,以K2TiF6和KBF4作为活性物质在石墨基体上制备了晶粒细小、裂纹少、孔隙率低、表面平整和基体结合良好的TiB2镀层.研究表明,当电流密度为0.4～0.8 A/cm2,能够得到TiB2镀层.随着电流密度的增加,浓差极化作用逐渐显著,带来的负面影响是镀层边角效应也逐渐明显,这使得厚度均匀性下降；但过电位的增加又会导致镀层晶粒变得更为细小,这就削弱甚至足以弥补浓差极化对镀层表面平整度造成的负面影响,结果就是平整度随电流密度增加而得以改善.综合考虑,适宜的电流密度应控制在0.6A/cm2,在该条件下,涂层由相对纯净的TiB2组成且表现出强的(110)面择优取向。涂层横截面上硬度分布范围为2986～3056 HV0.1,表明涂层比较致密均匀。
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