四元硫族化合物Cu₂ZnSnS₄和Cu₂ZnSnSe₄是直接带隙半导体化合物,带隙约1.5 eV,另外这类材料具有较高的光学吸收系数以及不含In/Ga元素,已有的研究结果表明,该类型化合物将有希望成为一种新型的太阳能吸收材料。此外,Cu₂ZnSnS₄和Cu₂ZnSnSe₄也被实验证明可作为新型的热电材料。相关的实验及理论研究已经取得了明显的进展,而Cu₂ZnSnQ₄（Q=S,Se,Te）的光学性质研究较少,而且,Cu₂ZnSnTe₄材料的相关性质尚未见报道。因此,考虑到S、Se和Te是同族元素,对于该类型化合物进行系统的理论研究,对于促进太阳能材料的研究有积极作用。本文利用基于密度泛函理论的第一性原理,采用超软赝势法,利用广义梯度近似来描述体系的交换关联势,研究了黝锡矿结构的Cu₂ZnSnQ₄（Q=S,Se,Te）的电子结构与光学性质。计算结果表明:晶格常数的结果与实验值十分接近,并且与已有的理论值一致;Cu₂ZnSnS₄为直接带隙半导体。在费米面附近,Cu的3p电子轨道与Q原子的p轨道发生了杂化,形成反键态。由计算得到的能带结构,通过Kramers-Kr（o|¨）nig关系,计算了Cu₂ZnSnQ₄的复介电函数ε（ω）,以及能量损失谱、有效价电子数以及吸收谱等。随着Q原子外层轨道的增加,体系的等离子体振荡频率减小;有效价电子数减少;吸收峰的位置发生红移。