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MOCVD AlxGa1-xNGaN多层异质结构的表面与界面表征
MOCVD AlxGa1-xNGaN多层异质结构的表面与界面表征
来源 :第十七届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hsxgodkiller
【摘 要】
:
CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1
【作 者】
:
王元樟
李金钗
李书平
陈航洋
刘达艺
康俊勇
【机 构】
:
厦门大学半导体材料及应用福建省重点实验室,厦门理工学院数理系厦门361024厦门大学半导体材料及应用福建省重点实验室,厦门大学物理学系厦门361005
【出 处】
:
第十七届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
:
2009年8期
【关键词】
:
氮化镓
半导体材料
异质结构
表面形貌
超晶格结构
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CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1-xN/GaN超晶格结构的表面与界面进行了表征。
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