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CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1-xN/GaN超晶格结构的表面与界面进行了表征。
MOCVD AlxGa1-xNGaN多层异质结构的表面与界面表征
【摘 要】
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CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1
【机 构】
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厦门大学半导体材料及应用福建省重点实验室,厦门理工学院数理系厦门361024厦门大学半导体材料及应用福建省重点实验室,厦门大学物理学系厦门361005
【出 处】
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第十七届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2009年8期
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