【摘 要】
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分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750,1850℃对硅/碳化硅材料进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射分析手段,研究了硅/碳化硅材料的组织的变化.结果表明,氮气氛
【机 构】
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九江学院材料科学与工程系,江西,九江,332005西安交通大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710049
【出 处】
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第九届全国典型零件热处理学术及技术交流会暨第六届全国热处理学会物理冶金学术交流会
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分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750,1850℃对硅/碳化硅材料进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射分析手段,研究了硅/碳化硅材料的组织的变化.结果表明,氮气氛下处理,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终完全"吞食"所包裹的β-SiC来完成相转变的;在真空条件下,除了前一种方式外,还有一定的蒸发-凝聚烧结机制存在,二者同时作用使得真空比氮气条件下有较快的β-SiC转化速度.转化驱动力随温度的上升而提高.1850℃氮气环境下处理的材料仍有少量β-SiC相存在,而真空1750℃处理后就能得到单一的α-SiC相多孔材科.
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