聚焦离子束在LiNbO3及KTP等晶体上的亚微米刻蚀研究

来源 :全国第十二届电子束离子束学术年会、第九届电子束焊接学术交流会、第十一届离子源学术交流会、高能束加工技术研讨会、第十届粒子 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xfcll
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聚焦离子束(focused ion beam,简写FIB)是一个微纳加工和观察分析设备。在强电场下金属离子溢出液态离子源,形成束流,经光圈限束、加速、聚焦、象散校正、偏转,打到样品指定点上。利用其溅射效应,FIB可用于样品表面亚微米尺寸的刻蚀,控制其扫描路径可以在无掩模下刻蚀任意图形。选择束流、加速电压和时间可以得到不同深度、不同纵深比的刻蚀。但是溅射原子容易再沉积,影响刻蚀纵深比并阻止进一步刻蚀。采用辅助气体可改善这种状况。选择某种气体在刻蚀过程中喷到样品表面刻蚀区,高能粒子束诱发气体原子与溅射原子反应生成挥发物质而被带走,进而降低再沉积。它不仅能提高刻蚀速率,而且能增加刻蚀纵深比。
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