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本文从HJFET的物理模型出发,分析了反沟道HJFET的电路模型及其等效电路,并在此基础上设计并制作了一个反沟道振荡器.该振荡器具有相噪低、可调范围宽、电路结构简单、起振容易等优点.经测试,所制作的振荡器频率可调范围为9.5～9.7GHz,偏离载频100kHz处相噪为-107dBc/Hz.
反沟道HJFET振荡器设计
【摘 要】
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本文从HJFET的物理模型出发,分析了反沟道HJFET的电路模型及其等效电路,并在此基础上设计并制作了一个反沟道振荡器.该振荡器具有相噪低、可调范围宽、电路结构简单、起振容
【机 构】
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电子科技大学电子工程学院,610054
【出 处】
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中国西部青年通信学术会议
【发表日期】
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2005年期
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