散射体高度对二维射频压电声子晶体能带结构的影响

来源 :中国科学院声学研究所纪念建所50周年暨第五届学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:XPTRY
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声子晶体因其丰富的带隙特征得到广泛关注,近年来二维射频压电声子晶体在声表面波器件领域表现出独特的特性,有着广阔的应用前景,因此成为研究热点.带隙特征的有效表征方法之一是能带结构,H前对二维射频压电声子晶体能带结构影响因素分析较少,本文针对有限厚压电基片及其表面的金属点阵组成的二维射频压电声子晶体,采用有限元方法,使用COMSOL仿真,分析了散射体高度对这种二维射频压电声子晶体能带结构的影响.通过结果对比分析发现,随着散射体高度的增加,能带结构中带隙范围增大,且向高频偏移.此分析结果有助于二维射频压电声子晶体更好地应用在声表面波器件领域.
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