恒电位沉积Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜

来源 :第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:vk2046
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采用电化学控电位沉积的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了表征.结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的电沉积溶液中,采用电化学沉积的方法,可实现铋、碲、硒三元共沉积,生成Bi2Te3-ySey半导体化合物;且-0.04V沉积电位下制备的Bi2Te3-ySey薄膜较平整、致密,为Bi2Te2.7Se0.3化合物。
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