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为获得高性能的ITO靶材，本文采用XRD、XPS、SEM等表征手段系统探讨了ITO靶材中低价In1+、an2+离子存在对ITO靶材、ITO薄膜性能的影响。研究发现，低价In1+、Sn2+离子存在将导致ITO靶材晶格畸变行为加剧、载流子浓度降低、毒化时间缩短、薄膜光电性能恶化。上述影响因素及机理的研究为制备成分、结构均匀的高密度ITO靶材提供了有益的理论与技术支持。