【摘 要】
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采用水热法,在p型掺硼金刚石薄膜(图a所示SEM图)上制备高取向的ZnO纳米线阵列(图b所示SEM图),制作出n型ZnO纳米线/p型金刚石异质结结构(图C所示).n型ZnO纳米线/p型金刚石
【机 构】
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徐州工程学院,数学与物理科学学院,221008
【出 处】
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第9届中国金刚石相关材料及应用学术研讨会
论文部分内容阅读
采用水热法,在p型掺硼金刚石薄膜(图a所示SEM图)上制备高取向的ZnO纳米线阵列(图b所示SEM图),制作出n型ZnO纳米线/p型金刚石异质结结构(图C所示).n型ZnO纳米线/p型金刚石异质结的Ⅳ特性曲线表现出典型的良好的整流伏安特性(图d所示).电流随电压呈指数上升趋势,具有较强的正向电流,当正向电压达到4V时,其正向电流为335 A；反向电流达到4V时,其电流为18A.该结构的开启电压约为2V,具有较高整流比(约190).n型ZnO纳米线/p型金刚石异质结结构为高功率、强电流的高温光电二极管的制备提供新的途径,具有广泛应用.
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