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固态源后硒化法制备铜铟镓硒薄膜的研究

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yczcjlk

【摘 要】

：

根据GIGS薄膜性质主要依赖于Cu/In/Ga原子配比和硒化条件,与中间的生长过程无关,将Cu、In、Ga分别成膜,进行固态源后硒化处理.通过金相显微镜、XRD、SEM等仪器观察、分析薄膜

【作 者】

：

孙云 龚晓波 温国忠 李长健 郭虎森 刘明光 郭淑华 

【机 构】

：

南开大学光电子研究所

【出 处】

：

第四届中国功能材料及其应用学术会议

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

固态源 后硒化 法制 铜铟镓硒 薄膜性质 金相显微镜 蒸发温度 原子 硒化处理 配比 衬底温度 材料结构 薄膜材料 表观形貌 化合物 组合 仪器 晶相 成膜 

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根据GIGS薄膜性质主要依赖于Cu/In/Ga原子配比和硒化条件,与中间的生长过程无关,将Cu、In、Ga分别成膜,进行固态源后硒化处理.通过金相显微镜、XRD、SEM等仪器观察、分析薄膜材料的晶相及表观形貌,研究原子配比、衬底温度和Se蒸发温度对化合物成分组合及材料结构的影响,并制备出优势的GIGS薄膜.

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