作为TFT 材料,透明氧化物半导体受到广大研究者的瞩目.其中氧化锌薄膜晶体管是一个重要的研究对象.n 型ZnO 薄膜的载流子输运路径由Zn 原子的4S 轨道重叠而成.非晶薄膜的结构特征是近程有序、远程无序,载流子迁移率主要由定域态电子的迁移率决定.多晶ZnO 薄膜晶粒内的电子做共有化运动,具有较高的迁移率,但是由于晶界位垒和缺陷或杂质的散射作用,其迁移率远低于单晶ZnO 薄膜的迁移率(～200 cm2/Vs).而且多晶薄膜各个方向的光学性质不均匀,且对可见光的透明度低.在研究的过程中发现,如果在ZnO 中加入原子序数较大(主量子数＞4))的过渡金属氧化物,会导致相邻金属原子的S 轨道有较大的重叠,从而有较高的迁移率.因此,InZnO,ZnSnO,特别是InGaZnO 等薄膜材料体系获得广泛研究.但是从应用的角度来说,In 和Ga 相对Zn来说成本要贵很多,所以深入研究ZnO 半导体薄膜材料生长,掺杂调控以及控制薄膜的缺陷及表面态对研制高性能ZnO薄膜晶体管是非常有必要的.尽管现在ZnO薄膜晶体管已经显示出较好的性能,但依然存在着许多值得深入研究的问题.