【摘 要】
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本文采用共沉淀法制备了CaCu3Ti4(1-x)Al4xO12-x/2(CCATO)陶瓷,通过X射线衍射(XRD)、介电谱等手段研究了Al掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的微观结构和介电性能的影响。XRD
【机 构】
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
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本文采用共沉淀法制备了CaCu3Ti4(1-x)Al4xO12-x/2(CCATO)陶瓷,通过X射线衍射(XRD)、介电谱等手段研究了Al掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的微观结构和介电性能的影响。XRD证实,CaCu3Ti4(1-x)Al4xO12-x/2陶瓷(x=0.1、0.3、0.5)的晶格常数小于CCTO,说明Al3+以置换Ti4+的形式存在于CCTO晶体中,形成了置换固溶体； 且随着Al3+含量的增大,其晶格常数变小。同时介电测试发现,CCATO的介电常数高于CCTO,在x=0.1时,达到最大值。通过Cole-Cole图发现,所有试样在高频区呈现出明显的松弛极化过程,源于氧空位。当x=0.1时,试样在低频区表现出明显的Maxwell-Wagner(MW)效应,随着Al3+含量的增加,MW得到抑制,因此介电常数的下降可能是由于MW效应被抑制而引起。
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