标准CMOS工艺下59.2ppm/℃,16MHz片上振荡电路设计

来源 :中国电子学会电路与系统分会第二十六届年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wing001019
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基于标准CMOS0.18m工艺,该文设计了一款16MHz高稳定度片上振荡电路,用于产生芯片系统的基准时钟.设计中利用了PN结正向导通时的负温度系数对振荡电路延时单元进行补偿,实现了输出振荡频率在较宽温度范围内的高稳定性.测试结果表明,所设计振荡电路产生信号的平均周期为62.506ns,对应的标准方差为27.85ps.当温度在25℃~120℃范围内变化时,该电路输出信号的频率变化小于0.56%,频率随温度的变化率为59.2ppm/℃.
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