【摘 要】
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ZnO 是一种宽禁带直接带隙半导体，由于其较高的激子束缚能(60 meV)，在光电领域有广泛的应用前景1.但ZnO 材料存在的天然n 型电导以及自补偿效应等特点，使得制备稳定p-ZnO 具有一定难度2.近年来，通过离子注入对ZnO 进行Na 掺杂以制备稳定p-ZnO 成为研究热点.
【机 构】
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山东大学微电子学院,济南 250100
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ZnO 是一种宽禁带直接带隙半导体，由于其较高的激子束缚能(60 meV)，在光电领域有广泛的应用前景1.但ZnO 材料存在的天然n 型电导以及自补偿效应等特点，使得制备稳定p-ZnO 具有一定难度2.近年来，通过离子注入对ZnO 进行Na 掺杂以制备稳定p-ZnO 成为研究热点.
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