论文部分内容阅读
Facile synthesis of Nation-stabilized iridium nanoparticles and its direct use for fuel cell and wat
【机 构】
：
Lab of Key Materials and Technologies,Dalian Institute of Chemical Physics,Chinese Academy of Scienc
【出 处】
：
IUPAC 5th International Symposium on Novel Materials and the
【发表日期】
：
2009年12期
其他文献
双极晶体发光管(LET)是一种基区发光的双极型晶体管,它结合了PN结LED的发光功能与晶体管的快速开关功能。从而可望实现一种应用于低成本短距离光通信的高速光源。然而,LET调制速度的上升也伴随着其发光功率的降低,本文以实现毫瓦级稳态光输出为目标,研究了NPN型LET外延层各参数对调制速度与光功率的影响,并通过外延层设计,优化基区少子的复合发光与渡越进入集电区两种过程,平衡发光功率与调制速度,实现了
受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运行速率。为进步提高半绝缘InP基器件的性能要求降低其表面的残留硅杂质浓度。通过对半绝缘InP单晶衬底表面清洗和腐蚀过程的研究,提出了一种含有碱性溶液的腐蚀清洗方法。利用飞行时间二次离子质谱(TOF-SI MS)对经过不同表面处理的InP
使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构，分析了其能带结构和电子态分布。计算结果表明：K会引入新的杂质能级，与其成键的Si原子是形成该杂质能级的主要因素且该四个Si原子对该能级的贡献相同。
稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，一般是通过过渡金属掺杂半导体而得到。SiC在高能、高频、高温电子器件上有相对成熟的发展以及应用工艺，使其在稀磁半导体材料中具有潜在的应用前景。在本文中，采用溶胶。凝胶碳热还原法、气-固(VS)生长法、离子注入法分别制备了Mn掺杂的3C-SiC纳米颗粒、Mn掺杂的3C-SiC纳米线及N离子注入6H-SiC单晶等稀磁半导体材料。本文采用X射线衍射仪(XRD)。扫
本文主要改善晶片边缘的“塌边”，提高晶片的平整度，提高衬底晶片的利用率。本文主要针对单面的旋转式化学机械抛光，系统研究了单面旋转式化学式抛光不同转速比ω1(抛光盘转速)和ω2(抛光头转速)对单面抛光晶片平整度的影响。结果表明：当ω1(抛光盘转速)：ω2(抛光头转速)为1：1时，工作盘上各点运行轨迹相同，即被单面抛光晶片的各点运行行程相同，直接导致各点掉量相同，单面抛光晶片“塌边”较小，晶片的TTV
为了满足功率模块在高功率高效率应用领域的要求,研制了一种由碳化硅(SiC)结势垒肖特基二极管(JBS)与硅(Si)基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)混合封装而成的百千瓦级功率模块该碳化硅混合功率模块的正向导通电流为480A,反向阻断电压为1200V.通过动态测试表明,峰值反向恢复电流(In)仅为-115A.关断延迟时间(td coφ)为3.36μs,关断能量损耗(Eo(n))为296.82mJ,开通
逆E类功放的工作状态可以用一系列方程来描述。本文推导出了在占空比为50％时，逆E类功放在非最优条件下，即只满足零电流关断(ZCS)条件时的描述设计的方程。给出的结果可以用来设计工作在非最优条件的下的逆E类功放。文章还给出了工作在非最优情况下的逆E类功放的设计步骤。