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基于磁电耦合效应实现第四种基本电路元件与非易失存储器

来源 :第九届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ychh1988

【作 者】

：

孙阳 尚大山 柴一晟 申见昕 丛君状 陆俊 曹则贤 

【机 构】

：

中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100190

【出 处】

：

第九届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

【发表日期】

：

2016年11期

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