【摘 要】
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低配位稀土单离子磁体因其潜在的优异分子磁体性能受到化学家们的广泛关注。因受稀土离子高氧化态、大离子半径和离子性成键的影响,合成配位数不高于三的三价稀土配合物
【机 构】
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北京大学化学与分子工程学院,北京,100871;大连理工大学精细化工国家重点实验室,辽宁大连,116024湖南师范大学化学学院,湖南长沙,410081北京大学化学与分子工程学院,北京,100871大连
【出 处】
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2018中西部地区无机化学化工学术研讨会
论文部分内容阅读
低配位稀土单离子磁体因其潜在的优异分子磁体性能受到化学家们的广泛关注。因受稀土离子高氧化态、大离子半径和离子性成键的影响,合成配位数不高于三的三价稀土配合物一直是合成领域上的一个重要挑战。最近,我们利用大位阻的酚氧配体ArOH(Ar = 2,6-Dipp2｜C6H3,Dipp = 2,6-diisopropylphenyl)成功构筑了一系列低配位稀土配合物[(ArO)Ln(OAr)](Ar= 6-Dipp-2-(2-iPr-6-CHMe(CH2-)C6H3)C6H3O-； Ln =Tb,Dy,Ho,Er,Tm)。单晶衍射实验表明配体和配合物为同构。动态交流磁化率表明镝和铒配合物均为单离子磁体。大位阻酚氧配体为镝离子提供了强轴向配位场,使镝配合物表现出高达961 K的有效能垒。特别地,该低配位结构还可看作平面型配位场,从而使铒配合物同时表现出单离子磁体行为。
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