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本文通过求解Poisson方程,建立了具有Si/SiO2界面电荷的SOI高压器件新结构纵向耐压模型,该模型表明,在硅和埋氧层界面上引入界面电荷可以克服常规SOI纵向的固有结构缺陷,充分发挥埋氧层的高击穿电场的特性,得到理想的纵向击穿电压.解析结果、仿真结果、试验结果的一致性验证了模型的正确性.本文的工作对优化设计具有埋氧层界面电荷的SOI新高压器件具有理论指导意义.