光电晶体管二维沟道材料的成形设计

来源 :2019第二届光电材料与器件战略论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:winterryliang
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  二维金属硫属化合物具有优越的平面结构特性、高效的电子迁移率、可调的能带结构等优点,可以有效的弥补硅基半导体材料在当代微纳型电子器件中的不足,因而受到了广泛的关注。
其他文献
被动锁模超快光纤激光器不仅拥有极窄的脉冲宽度、极高的峰值功率和较宽的光谱,而且具有成本低廉、结构紧凑、免维护及转换效率高等优势,使得其在超快诊断、飞秒加工、生物医学及激光雷达等领域有非常广泛的应用前景。
会议
有机长余辉发光(OLPL)材料在生物成像、光学记录、信息存储、防伪系统等诸多高新科技领域有着诱人的应用前景,但在室温下实现高效OLPL 是一个极大的挑战,尤其是无定型聚合物基长余辉发光(PLPL)材料。
会议
太赫兹(THz)波(频率范围:0.1-10 THz; 1 THz=1012 Hz)位于微波与红外光之间,处于毫米波电子学与红外光子学的交叉过渡区域.太赫兹技术在光谱检测、医学成像、空间通信等领域具有重要应用前景.长期以来,由于缺乏高效THz 辐射源和探测器,THz 频段未得到充分研究,很多新奇的物理性质没有被完全认知,所以其被称为THz 间隙(“terahertz gap”).
会议
在空间环境中的的半导体器件必须经受的起极端条件的考验,如高通量的质子、电子和γ射线会使器件受到不同程度的损伤而失效。常用的宇航器件上的晶硅、GaAs和InGaP/GaAs 基太阳能电池很容易受到辐照损伤,而影响其正常工作。
会议
宽禁带半导体材料-氮化铝(AlN)晶体具有超宽的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强、极高的热导率、良好的光学和力学等性质,同时,AlN 与AlGaN 属同族材料,两者的晶格失配最大值仅为2.4%,且热膨胀系数几乎相同,故以AlN 单晶作为衬底可以极大地改善AlGaN 器件的性能.
会议
未来光电产品的一个重要发展趋势将面向柔性和可穿戴,透明电极作为光电器件的重要组成部分,对光电行业的未来发展具有至关重要的影响。传统ITO 电极较脆、不耐弯折,限制了其在柔性器件中的应用,而介电/金属/介质(DMD)多层结构透明电极具有高透过率、低面电阻和出色的弯曲稳定性,具有在柔性光电器件中应用的潜质。
会议
在全球信息科学和技术的历史进程中,基于半导体硅材料的信息存储器件是高性能计算机的硬件基础。当前大数据分析与云端运算需求持续增加,高效能运算需求激增,服务器仰赖内建存储器来提供更有效率的运算工作已成为趋势。
会议
太赫兹功能材料与器件研究是太赫兹光电技术与系统发展的前沿关键课题,近年来随着人工结构超材料的迅速发展,获得太赫兹波段天然材料所无法达到的功能材料与器件研发取得了一定的进展。
光流控(Optofluidics)在微纳尺度操控光和流体,通过光与流体之间的相互作用去观察独特的流体和光学现象,构造创新性的光流控器件(Optofluidic device),并利用这些器件观察微小尺度下化学和生物反应。
会议
通过克服传统的自上而下和自下而上纳米结构和纳米光刻的主要限制。通过将干涉图形化的简单性、诱导光刻和自组装的优点相结合,我们开启了一个全新的工艺,用于生长或刻蚀具有精确尺寸、形状和组成的纳米结构的密集阵列。
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