【摘 要】
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采用常压化学气相沉积（APCVD）的标准条件，在有图案的Si (100)衬底上外延生长了35 μm厚的 硅薄膜。衬底采用圆形阵列和条形阵列两种图案。外延生长硅薄膜后，在圆形阵列图案衬底上
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所,光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275
【出 处】
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中国可再生能源学会2011年学术年会
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采用常压化学气相沉积（APCVD）的标准条件，在有图案的Si (100)衬底上外延生长了35 μm厚的 硅薄膜。衬底采用圆形阵列和条形阵列两种图案。外延生长硅薄膜后，在圆形阵列图案衬底上获得了15 μm 到47.57 μm边长的金字塔型晶粒，在条形阵列图案衬底上获得了尺寸约10 μm左右的多晶硅岛。通过断面 SEM和TEM分析，进一步讨论了预处理衬底图案对外延硅薄膜晶体结构的影响。发现衬底的SiO2层上沉积的硅薄膜中有孪晶缺陷存在；在Si (100)区域沉积的硅薄膜中没有缺陷。
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