【摘 要】
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单晶硅球法是阿伏伽德罗常数量值精密测量以及质量重新定义的一种重要方案.单晶硅球表面的氧化层厚度关系到硅球质量和直径测量结果的修正,并在阿伏伽德罗常数的相对测量不确
【机 构】
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中国计量科学研究院,北京,100029
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单晶硅球法是阿伏伽德罗常数量值精密测量以及质量重新定义的一种重要方案.单晶硅球表面的氧化层厚度关系到硅球质量和直径测量结果的修正,并在阿伏伽德罗常数的相对测量不确定度中占到很大比例.基于光谱椭偏仪在测量膜厚方面高灵敏度的优点,建立了硅球的椭偏扫描装置,用劳埃衍射法确定了硅球晶向并刻蚀激光标记,研究了硅球的调整方法.作为对表面氧化层精密测量最重要的指标,考察了装置的稳定性及重复性,并对X 射线能谱法(XPS)用于膜厚定标的方案进行了讨论.本文研究为硅球表面层测量提供了实验和理论依据.
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