【摘 要】
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研究2×1016 cm-2剂量氦注入感生缺陷形成的高浓度空位,分别在700°C/100min、700°C/100min+900°C/60min和700°C/100min +1000°C/100min 等退火条件下形成的纳米空腔在80
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
【出 处】
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2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会
论文部分内容阅读
研究2×1016 cm-2剂量氦注入感生缺陷形成的高浓度空位,分别在700°C/100min、700°C/100min+900°C/60min和700°C/100min +1000°C/100min 等退火条件下形成的纳米空腔在800°C/120min 条件下对铂的汲取作用.结果表明,700°C/100min 和700°C/100min+900°C/60min 条件下形成的空位团所汲取的铂大多是替位,因此在氦注入射程末端,EC-0.23eV缺陷态浓度出现极大,且电活性铂浓度会随空位团长大而增加,最高达到了3.6×10 14 cm-3 .与小剂量He 注入汲取铂的最高浓度1.9×10 13 cm -3 相比,纳米空腔汲取铂的浓度提高了一个数量级,将近是低剂量汲取的20 倍,这将会大大的缩短器件的开关时间.而1000°C/60min 条件下长大的空位团汲取的铂,电活性成分所占比例很小.
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