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本文用B＜，2＞H＜，6＞（硼烷）、和SiH＜，4＞（硅烷）作反应气，通过射频等离子体增强化学气相淀积（RF-PECVD）的方法，在（100）Si上沉积生长氮化硼（BN）薄膜，用HITCHI S—520扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测，并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在室温，真空压力为6＜＇*＞10＜＇-6＞乇的条件下，对BN薄膜的电流-电压特性进行测量，并得到了Fowler-Nordheim特性曲线，BN膜的场发射开启电场为9v/μm，在电场33v/μm时，电流密度达到56mA/cm＜＇2＞。