半导体器件热特性新型测量方法及其设备的研究

来源 :第七届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a5s2h114n9g
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该文介绍了采用脉冲技术,能够测量、分析GaAs MESFET冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线的电学法测量方法及仪器。该方法可实现器件正常工作条件下,快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、粘接及管壳各部分的热阻。并对其测量结果进行了讨论。该仪器可任意调整器件的工作条件及测量条件,并在计算机控制下实现完全自动化测试。
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