【摘 要】
：
我们采用聚硅氮烷前驱体在1250℃ FeCl2催化作用下热裂解生长氮化硅纳米带,X-ray衍射图谱,HRTEM衍射斑表明氮化硅纳米带是型单晶氮化硅,SEM显示纳米带厚度20-40nm,宽度400-1000nm.在77k-300k温度范围测试氮化硅纳米带的变温光致发光强度和电子顺磁共振谱.氮化硅纳米带的光致发光谱观测到3个发射峰,中心能量分别在1.84eV,2.08eV和2.97eV.1.84eV附
【机 构】
：
长春光学精密机械与物理研究所,长春130033 宁波工程学院,宁波,315211
【出 处】
：
第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
论文部分内容阅读
我们采用聚硅氮烷前驱体在1250℃ FeCl2催化作用下热裂解生长氮化硅纳米带,X-ray衍射图谱,HRTEM衍射斑表明氮化硅纳米带是型单晶氮化硅,SEM显示纳米带厚度20-40nm,宽度400-1000nm.在77k-300k温度范围测试氮化硅纳米带的变温光致发光强度和电子顺磁共振谱.氮化硅纳米带的光致发光谱观测到3个发射峰,中心能量分别在1.84eV,2.08eV和2.97eV.1.84eV附近的发射强度随温度变化规律与电子顺磁共振谱强度一致.之前的研究表明氮化硅中的缺陷态有四类：Si-Si和N-N错键,以及Si悬键和N悬键,N悬键有N4+与N20的配位.3个发射峰对应着氮化硅中缺陷态、价带电子不同的辐射跃迁.通过发射谱强度随温度的变化与电子顺磁共振谱比对,可以了解缺陷态的特性以及与发光中心的关系.我们应用EPR了解氮化硅纳米带的具有孤电子的缺陷态,并对纳米带中的部分缺陷发射对温度依赖关系进行定性的解释.
其他文献
用共沉淀方法制备了Zr0.25Ti0.25Al0.5O1.75载体材料，以其为载体，MnO2为活性组分，CeO2为助剂，制备了不同温度下(500℃，600℃，700℃和800℃)焙烧的MnO2-CeO2/Zr0.25Ti025Al0.5O1.75整体式催化剂。对催化剂进行了BET、储氧量(OSC)和NH3-TPD的表征，并考察了催化剂在富氧条件下的NH3-SCR活性。结果表明，焙烧温度的不同，催化
GaN是制造蓝紫光光电器件的理想半导体材料之一，由于生长工艺的原因，非掺杂的GaN材料中通常会存在一定的杂质和晶格缺陷，在对材料测试光致发光谱时，这些未知的杂质和晶格缺陷会产生与能级相对应的发光峰，通常出现波长位于450nm的蓝带发光峰和位于550nm的黄带发光峰，这会大大降低了材料的发光特性，因此弄清楚黄带发光与蓝带发光的起源，对材料制作工艺的改进有着十分重大的意义。本文采用氢化物气相外延法(H
利用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,并在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构和光学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,在PS衬底上制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多的缺陷.光致发光谱显示,ZnO/PS复合体系的光致发光谱相比于PS,发光蓝移且出现新的发光峰,呈现较强的白光发射.傅里叶变换红外光谱(FTIR)表明,ZnO沉积在PS上后的发光蓝移是因为P
要实现高集成度的硅基光波导放大器，掺铒硅基材料无疑是最合适的选择.然而常规掺杂路线所能实现的铒掺杂浓度不利于实现小尺寸的硅基光电集成所需掺铒光波导放大器(EDWA).在本文中我们致力于高铒掺杂浓度的铒硅酸盐晶态薄膜的制备、结构表征和物性研究.利用高纯铒的无机盐制备的螯合物，采用溶胶-凝胶方法并结合旋涂工艺制备出铒离子浓度可调(从0 at％到25 at％)的高质量和光滑表面形貌的铒硅酸盐晶态薄膜(E
本文基于第一性原理密度泛函理论,对有限长的ZnO纤锌矿结构的纳米碟的进行计算。选择了三种不同的钝化形式,分别是只钝化表面O原子,或者表面Zn原子,以及所有表面原子都进行钝化,发现仅当所有表面有悬键的原子钝化的情况下,能量和结构均是稳定的。针对不同直径不同厚度的结构分别进行了优化,并且计算了它们的频谱,这些结构不存在虚频,是结构稳定存在的。分析不同尺寸的HOMO(最高占据原子轨道)-LUMO(最低未
半导体材料纳米结构在制作多种光电器件如发光二极管和激光器等方面有广泛的应用前景.但是纳米材料由于表面-体积比很高,光学性质会受到表面态的强烈影响,会导发光效率低等问题.对纳米材料进行表面处理、发光机理研究十分必要.可以采用复合结构对纳米材料进行表面修饰,此方法对材料发光性质有着显著的影响.在本文中,采用水热法制备了ZnO纳米棒,并在ZnO纳米棒上继续使用水热法二次生长制备了CdS纳米颗粒对其进行表
Schottky junction solar cells were fabricated on single CdS nanowires (NW)/nanobelts (NBs).Au (100 nm) and In/Au (10/100 nm) were used for the Schottky and ohmic contacts to CdS NW/NB.The solar cell e
为了提高器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的电致发光,在本论文中我们研究了以MoO3和ZnS为缓冲层的器件ITO/缓冲层/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的发光特性.在器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al中,在直流电场下,我们观察到了ZnO纳米棒在380nm的近紫外电致发光.通过研究纳米棒的生长时间、晶种退火温度以及有机层厚度对器件发光性能的影响,总
单壁碳纳米管是纳米科技研究的重要中心之一。正在进行的大部分研究努力都是为了理解它们的光学性质。由于金属碳纳米管不发光，因此碳纳米管的发光研究仍然集中于单根的半导体碳纳米管。由于半导体碳纳米管的荧光量子效率非常低，就阻碍了它们在光电子领域的应用。碳纳米管束往往是碳纳米管的天然存在形式，由于大家都普遍地认为半导体碳纳米管束不会发光，碳纳米管束并不是大家所看好的光电子材料。我们对纳米管束的吸收光谱和发射
人们对掺杂半导体纳米晶的发光性质及其在发光显示器、传感器等方向上的应用进行了广泛研究[1]。由于利用传统的掺杂方法在水相合成Mn掺杂CdS纳米晶[2]，无法准确控制Mn离子在纳米晶中的位置和浓度，所获得的纳米晶的发光效率低。直到2005年，彭笑刚研究小组首次报道了利用成核掺杂方法合了稳定性好、发光效率达50％以上的ZnSe：Mn量子点[3]，因此人们期待着利用这种新方法通过控制Mn离子的位置来合成