Cu元素欠缺对CaCu3Ti4O12陶瓷电性能的影响

来源 :中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第十八届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhaoyuanhappy2008
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  本文采用固相法制备CaCuTi4O12陶瓷,研究了Cu元素欠缺导致CaCuTi4O12偏离化学计量含量对陶瓷样品电性能的影响。结果表明:随Cu含量减少,CCTO陶瓷样品的电性能发生显著变化,在化学式CaCu3-xTi4O12-x中x=0~0.1范围,随着x增大(Cu元素欠缺量增大),样品的表观介电系数从3.9×104增大到2.5×105,在x=0.1~0.15范围,样品的表观介电系数又逐渐降低;在实验范围内(x=0~0.15),表观压敏电压(V1mA/mm)从37.5V下降到4.8V,电压非线性系数逐渐增大,从2.3升高到5.4。实验还发现制作的CCTO瓷体表面与银电极层存在肖特基势垒。从而导致表面层电压非线性效应,这种表面层电压非线性效应在Cu元素欠缺的CCTO样品中表现更突出。
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