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随着半导体工业的迅猛发展,不断缩小的器件尺寸对薄膜材料的制备技术及薄膜材料的性能提出了越来越高的要求。预测在2013年半导体工艺将实现32纳米节点时,如Dynamic Random Access Memory(DRAM)将需要在深宽比高达100：1的沟槽内沉积厚度为l“3nm均匀介质层,这些要求采用传统的CVD或PVD工艺是不可能实现的。原子层沉积技术(atomic layer deposition,ALD)以其具有白限制生长、高保形性和100％的覆盖率,可能成为解决这类问题手段。