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随着通信系统发射功率的增加,以及工作频率的提高,高功率容量、高隔离、低插损、短响应时间的射频开关尤其重要。文章简要介绍了并联反射式单刀双掷射频开关的原理,对高功率容量下PIN二极管应用关键进行了详细分析,设计了一个工作于1.8GHz～2.8GHz,插损<0.7dB,隔离度>35dB@43dBm,开关响应时间<3μs的单刀双掷(SPDT)射频开关。