【摘 要】
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采用低温直流反应磁控溅射法在80℃玻璃衬底上制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,对制备的薄膜进行不同温度的真空退火处理。采用XRD,SEM,四探针测试仪等设备对经过退火ZAO薄膜的结构,表面形貌,电阻率,透过率等性能进行表征。结果表明,经过真空退火工艺处理的ZAO薄膜,在380nm波长附近处的最高透过率为92[％],最低电阻率为5.63×10-4Ω·cm。
【机 构】
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哈尔滨工程大学 材料科学与化学工程学院,哈尔滨 150001
【出 处】
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第十二届全国高校金相与显微分析学术年会
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采用低温直流反应磁控溅射法在80℃玻璃衬底上制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,对制备的薄膜进行不同温度的真空退火处理。采用XRD,SEM,四探针测试仪等设备对经过退火ZAO薄膜的结构,表面形貌,电阻率,透过率等性能进行表征。结果表明,经过真空退火工艺处理的ZAO薄膜,在380nm波长附近处的最高透过率为92[％],最低电阻率为5.63×10-4Ω·cm。
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