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采用修正后的非正交紧束缚总能模型并结合遗传算法研究了半导体团簇Si的基态能和基态构型，修正后的非正交紧束缚总能模型考虑了晶体场效应的影响，其结合能计算结果在实验结果的误差范围之内，通过它得出的基态构型与第一性原理的结果完全一致这充分说明了修正后的非正交紧束缚总能模型的正确性.
修正的非正交紧束缚总能模型在Si团簇中的应用
【摘 要】
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采用修正后的非正交紧束缚总能模型并结合遗传算法研究了半导体团簇Si的基态能和基态构型，修正后的非正交紧束缚总能模型考虑了晶体场效应的影响，其结合能计算结果在实验结果的误差范围之内，通过它得出的基态构型与第一性原理的结果完全一致这充分说明了修正后的非正交紧束缚总能模型的正确性.
【机 构】
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微结构物理国家实验室
【出 处】
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第九届全国原子与分子物理学术会议
【发表日期】
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1998年12期
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