【摘 要】
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本实验采用传统陶瓷工艺技术制备了无铅压电陶瓷(Bi05Na0.5)0.94(Ba08Sr0.2)0.06TiO3-x(wt％)CeO2-1.5％mol Bi2O3(缩写为:BNBST-x).研究表明:本实验所研究体系的压电陶瓷具有良
【机 构】
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合肥学院化学与材料工程系,安徽合肥,230601
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本实验采用传统陶瓷工艺技术制备了无铅压电陶瓷(Bi05Na0.5)0.94(Ba08Sr0.2)0.06TiO3-x(wt％)CeO2-1.5％mol Bi2O3(缩写为:BNBST-x).研究表明:本实验所研究体系的压电陶瓷具有良好的压电及介电性能。对于掺杂CeO2不同量的BNBST-x系压电陶瓷,在CeO2的掺杂含量为0.2wt％时,陶瓷性能最佳,其中压电常数d33=91pC/N、平面机电耦合系数kp=0.31、介电常数εr=1666及介质损耗tanδ=0.042;极化电压为4.5kV/mm、极化温度为70℃、极化时间为40min是合适的极化条件.
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