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碳纳米管阴极场发射特性研究

来源 :全国第三届纳米材料和技术应用会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sgcc7186

【摘 要】

：

制备了碳纳米管阴极,测试表明具有良好的场发射性能;建立了碳纳米管场发射的理论模型,将组成阵列的碳纳米管(CNTs)的半径看成是符合高斯分布,将单根的CNTs看成是准一维的,求

【作 者】

：

刘兴辉 朱长纯 李玉魁 

【机 构】

：

西安交通大学电信学院(西安)

【出 处】

：

全国第三届纳米材料和技术应用会议

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

碳纳米管 阴极 场发射 发射特性 纳米管阵列 阳极电压 拓扑结构 实验测试 理论模型 理论计算 高斯分布 发射性能 发射电流 组成 一维 基础 单根 半径 

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制备了碳纳米管阴极,测试表明具有良好的场发射性能;建立了碳纳米管场发射的理论模型,将组成阵列的碳纳米管(CNTs)的半径看成是符合高斯分布,将单根的CNTs看成是准一维的,求出了CNTs的发射电流与阳极电压之间的关系,分析了CNTs的拓扑结构对发射特性的影响,在此基础上计算了碳纳米管阵列的发射特性;理论计算的结果同实验测试的结合符合得较好.

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