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以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法,经旋转涂胶、老化和超临界工艺制备了表面均匀的纳米多孔SiO2薄膜.讨论了在旋转涂胶过程中影响薄膜性能的主要因素.研究表明,通过控制IPA雾化速率、溶胶粘度、涂胶转速以及IPA气氛老化时间,可使薄膜的厚度在300~3000nm可调,薄膜的孔隙率可达70﹪,薄膜的介电常数在1.6~2.2可调.SEM显示薄膜呈多孔结构,且分布均匀.