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本文对底栅微晶硅TFT致为关键的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时发现以SiNx为栅绝缘层对随后在其上生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20﹪),故底栅微晶硅TFT,硅烷浓度不宜低于3﹪.
底栅微晶硅薄膜晶体管研究
【摘 要】
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本文对底栅微晶硅TFT致为关键的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时发现以SiNx为栅绝缘层对随后在其上生长的硅基薄膜有
【机 构】
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南开大学光电子所,天津,300071,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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