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本文研究了AlGaN/GaN HEMT器件在温度范围298k到473k内栅极反向泄漏电流的产生机理.实验结果表明,在所选温度范围内,栅泄漏电流所展现的特性规律符合预期的Frenkel-Poole发射模型.分析所得的反向栅极泄漏电流的特性表明了其主要机理是泄漏电子从陷阱能级发射进入连续的导电能级,陷阱能级势垒高度为0.31eV.在研究反向漏电的导电过程，认为是电流从金属电极出发，通过接近于费米能级的陷阱能级进入连续的导电能级。