【摘 要】
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本文报道了本研究组制备的硅衬底GaN基绿光LED的光电性能，芯片采用Ag反射镜与表面粗化技术，400μm×6 00μm尺寸的芯片在20mA下光功率达8.16mW，在注入电流小于120mA时光功率随着电流的增加而线形增加。最后对其进行直流老化实验，在90mA电流125℃高温老化下，器件无光表，电学性能非常稳定，可靠性已经达到了目前市场的需求。
【机 构】
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晶能光电 (江西)有限公司, 南昌,330047;南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047
【出 处】
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第十一届全国LED产业与技术研讨会
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本文报道了本研究组制备的硅衬底GaN基绿光LED的光电性能，芯片采用Ag反射镜与表面粗化技术，400μm×6 00μm尺寸的芯片在20mA下光功率达8.16mW，在注入电流小于120mA时光功率随着电流的增加而线形增加。最后对其进行直流老化实验，在90mA电流125℃高温老化下，器件无光表，电学性能非常稳定，可靠性已经达到了目前市场的需求。
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