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金刚石膜因其优良的热导率和良好的电绝缘性能，为制造半导体热沉创造了极好的条件。为了实现金刚石膜热沉应用于半导体器件，焊前必须金属化。该文利用电子束真空蒸镀法研究了金刚石膜金属化工艺。金刚石膜金属化后薄膜化学成分分析采用Rutherford背散射谱完成。金刚石表面金属化后薄膜结合强度最高达到4.0kg/mm<2>。我们已经成功地将金刚石膜热沉应用于半导体激光器中，并显示出金刚石膜热沉的优越性，进上步试验正在进行之中。