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利用射频磁控溅射制备了不同N2分压的ZrN/WN超硬多层薄膜.借助慢正电子湮没技术研究了样品的空位型缺陷.结果发现:多层薄膜的空位型缺陷的浓度随组分的交替变化呈现周期性的规律;对于较高N2分压(＞0.4Pa)下制备的样品,其薄膜层中空位型缺陷的增加主要是由沉积原子(离子)与氮原子碰撞几率增大,使其缺乏足够的动能去填补空位引起的;对于较低N2分压(＜0.4Pa)下制备的样品,其薄膜层中空位型缺陷的增多则主要是因为成膜所需要的氮原子的缺乏导致了氮空位及其相关缺陷增加的原因.