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单层MoS2在光电子器件方面有广泛的应用，而调控单层MoS2的半导体特性是提升基于单层MoS2光电子器件的关键.基于第一性原理计算，本文对基于ZnO(0001)衬底的单层MoS2进行研究.研究发现ZnO(0001)衬底表面的钝化原子可对单层MoS2的电学特性进行调控：当衬底表面覆盖1ML (monolayer)的H原子时，复合体系表现为p型半导体；当衬底表面覆盖0.5ML的H原子时，复合体系表现为本征半导体；当衬底表面为裸露表面时，复合体系表现为n型半导体.此外，单层MoS2与ZnO的带阶形式也随衬底表面的钝化原子的改变而改变.这一研究结果表明单层MoS2与ZnO的复合体系的性质主要由MoS2/ZnO之间的界面决定，并且可以通过衬底表面微结构调控基于单层MoS2光电子器件的性质.本文进一步研究了当ZnO(0001)衬底变为单层ZnO时复合体系半导体特性及单层MoS2与单层ZnO的超晶格结构.计算结果表明单层MoS2与单层ZnO的复合体系的半导体特性受单层MoS2与单层ZnO的堆垛方式影响，而超晶格结构能够增加复合体系的稳定性但是会改变单层MoS2与单层ZnO的复合体系的带阶形式.