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采用Wurtz偶联方法合成了一系列主链含有Si-C-C-Si结构的聚碳硅烷陶瓷前驱体,并对其进行了初步的表征和热失重分析.对聚碳硅烷进行热交联处理,使陶瓷产率得到了提高.结果表明,同时含有Si-H和Si-CH=CH2(Si-Vi)的聚碳硅烷经热解可得到相对较高的陶瓷产率。
聚碳硅烷陶瓷前驱体的制备
【摘 要】
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采用Wurtz偶联方法合成了一系列主链含有Si-C-C-Si结构的聚碳硅烷陶瓷前驱体,并对其进行了初步的表征和热失重分析.对聚碳硅烷进行热交联处理,使陶瓷产率得到了提高.结果表明,同时含有Si-H和Si-CH=CH2(Si-Vi)的聚碳硅烷经热解可得到相对较高的陶瓷产率。
【机 构】
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中国科学院化学研究所,北京,100080 北京工商大学,北京,100037
【出 处】
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第十三届中国有机硅学术交流会
【发表日期】
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2006年4期
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