R3GaO6(R为稀土元素)新物相及其荧光性能

来源 :2004中国金属学会青年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:po54321s
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本文采用高温固相合成法合成了6个R3GaO6(R=YEu,Tb,Dy,Ho,Er)新物相,并通过粉末x-ray衍射方法测定了它们的晶胞参数;通过线性拟合方式得到Nd3+和Ho3+的7配位Shannon离子半径,分别为0.1188(2)nm和01098(1)nm;Y3GaO6(或Gd3GaO6)能和Eu3GaO6或Tb3GaO6形成连续的固溶体;研究了Y3GaO6和Gd3GaO6基体分别掺入一定量的Eu3+、Tb3+或Bi3+后的光致发光和阴极射线发光性能,其中Y3GaO6:Eu、Gd3GaO6:Tb和Gd3GaO6:Bi的发光性能较好.
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