【摘 要】
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利用射频溅射的方法制备了NiFe薄膜,研究了不同厚度、不同基片温度、不同真空退火温度对AMR的影响.当膜厚小于300A时,膜厚对AMR的影响较大;当膜厚大于800A时,膜厚对AMR的影响
【机 构】
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南京大学固体微结构物理实验室(南京)
【出 处】
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第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议
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利用射频溅射的方法制备了Ni<,81>Fe<,19>薄膜,研究了不同厚度、不同基片温度、不同真空退火温度对AMR的影响.当膜厚小于300A时,膜厚对AMR的影响较大;当膜厚大于800A时,膜厚对AMR的影响逐渐减小.基片温度、真空退火温度对AMR值的提高至关重要,适当到选择这两个温度能使薄膜内的晶粒变大,晶界面积变小,晶界对传导电子的散射减小,从而电阻率下降,AMR效应提高.我们还研究了缓冲层对AMR的影响,发现某些缓冲层能有效地提高AMR效应.
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