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ZnO是一种宽禁带II-VI族直接带隙极性半导体材料,是一种优良的半导体材料1,2.但是目前p型ZnO会自发的形成n型3,存在严重的制备困难4,阻碍了ZnO材料的发展.我们根据第一性原理计算方法研究了ZnO中缺陷的压力效应.在计算中采用了ZnO的B4相,首先测试了ZnO的六种本征缺陷在0到9GPa的杂质形成焓,得到氧空隙是存在的主要缺陷.