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本文研究了80到500K温度范围内掺La的PMN-PT薄膜的铁电和介电特性,结果显示薄膜具有弛豫特性.研究发现从室温到80K之间,薄膜剩余极化和矫顽电场都随温度的降低而升高.发现了薄膜在150K附近有反常的现象.这些结果表明La的PMN-PT薄膜在150K开始呈正常铁电特征.
掺La的PMN-PT薄膜铁电和介电特性随温度变化的研究
【摘 要】
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本文研究了80到500K温度范围内掺La的PMN-PT薄膜的铁电和介电特性,结果显示薄膜具有弛豫特性.研究发现从室温到80K之间,薄膜剩余极化和矫顽电场都随温度的降低而升高.发现了
【机 构】
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中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室(上海)
【出 处】
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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会
【发表日期】
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2004年12期
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