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GaInNAs材料与常见的GaAs材料晶格常数匹配,并且具有随氮(N)浓度增加能带间隙减小的特性,已经成功应用于边发射激光器、垂直腔面发射激光器和半导体光放大器等[1].
外电场对Ga1-xInxNyAS1-yGaAs量子阱中施主结合能的影响
【摘 要】
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GaInNAs材料与常见的GaAs材料晶格常数匹配,并且具有随氮(N)浓度增加能带间隙减小的特性,已经成功应用于边发射激光器、垂直腔面发射激光器和半导体光放大器等[1].
【机 构】
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曲阜师范大学物理工程学院,曲阜,273165信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所),上海,200050
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
：
2013年7期
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